Next Generation Memory Market Scope And Analysis

  • Report Code : TIPTE100000339
  • Category : Electronics and Semiconductor
  • No. of Pages : 150
Buy Now

تحليل سوق ذاكرة الجيل القادم والنمو والاتجاهات بحلول عام 2031

Buy Now


Next-Generation Memory Market Report Scope

سمة التقريرتفاصيل
حجم السوق في عام 20236.4 مليار دولار أمريكي
حجم السوق بحلول عام 203155.96 مليار دولار أمريكي
معدل النمو السنوي المركب العالمي (2023 - 2031)31.1%
البيانات التاريخية2021 - 2022
فترة التنبؤ2024 - 2031
القطاعات المغطاةحسب النوع
  • الذاكرة غير المتطايرة والذاكرة المتطايرة
عن طريق التطبيق
  • مستهلكى الكترونيات
  • صناعي
  • السيارات والنقل
  • تخزين المؤسسة
  • العسكرية والفضاء
  • الرعاىة الصحية
  • تكنولوجيا المعلومات والاتصالات
  • آحرون
المناطق والبلدان المشمولةأمريكا الشمالية
  • نحن
  • كندا
  • المكسيك
أوروبا
  • المملكة المتحدة
  • ألمانيا
  • فرنسا
  • روسيا
  • إيطاليا
  • بقية أوروبا
آسيا والمحيط الهادئ
  • الصين
  • الهند
  • اليابان
  • أستراليا
  • بقية منطقة آسيا والمحيط الهادئ
أمريكا الجنوبية والوسطى
  • البرازيل
  • الأرجنتين
  • بقية أمريكا الجنوبية والوسطى
الشرق الأوسط وأفريقيا
  • جنوب أفريقيا
  • المملكة العربية السعودية
  • الإمارات العربية المتحدة
  • بقية دول الشرق الأوسط وأفريقيا
قادة السوق وملفات تعريف الشركة الرئيسية
  • سامسونج
  • شركة ميكرون للتكنولوجيا
  • فوجيتسو
  • شركة إس كيه هاينكس
  • شركة هانيويل الدولية
  • شركة تكنولوجيا الرقائق الدقيقة
  • شركة إيفرسبين تكنولوجيز
  • انفينيون تكنولوجيز ايه جي
  • شركة كينغستون للتكنولوجيا أوروبا LLP
  • KIOXIA سنغافورة بي تي إي. المحدودة.
  • يعرض نموذج PDF بنية المحتوى وطبيعة المعلومات من خلال التحليل النوعي والكمي.

أخبار سوق الذاكرة من الجيل التالي والتطورات الأخيرة

يتم تقييم سوق ذاكرة الجيل التالي من خلال جمع البيانات النوعية والكمية بعد الأبحاث الأولية والثانوية، والتي تتضمن منشورات الشركات المهمة وبيانات الارتباط وقواعد البيانات. وفيما يلي قائمة بالتطورات في السوق:

  • في أغسطس 2023، أطلقت شركة SK Hynix Inc. المنافسة في سباق تكنولوجيا أشباه الموصلات من خلال الجيل التالي من الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM). نجحت شركة SK Hynix في تطوير منتج الجيل الخامس من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، HBM3E، المصمم خصيصًا لتطبيقات الذكاء الاصطناعي (AI) عالية الأداء. HBM هو جهاز مفيد وعالي الأداء يعمل على تسريع معالجة البيانات من خلال التكامل الرأسي للعديد من وحدات DRAM، متفوقًا على وحدات DRAM التقليدية.

(المصدر: SK Hynix Inc، موقع الشركة الإلكتروني، 2023)

  • في أكتوبر 2023،كشفت سامسونج النقاب عن حلول الذاكرة من الجيل التالي في Memory Tech Day، بهدف لعب دور حيوي في توفير نماذج الذكاء الاصطناعي المتطورة للتطبيقات واسعة النطاق. قدمت الشركة مجموعة من حلول الذاكرة المتطورة، بما في ذلك أحدث ذاكرة Shinebolt HBM3e، وحلول LPDDR5X CAMM2 المستندة إلى وحدات حزمة LPDDR، وAutoSSD القابل للفصل.

(المصدر: موقع سامسونج الإلكتروني، 2021)

تغطية تقرير سوق ذاكرة الجيل التالي والتسليمات

يقدم تقرير "حجم سوق ذاكرة الجيل التالي وتوقعاته (2021-2031)" تحليلاً مفصلاً للسوق يغطي المجالات التالية:

  • حجم السوق والتوقعات على المستويات العالمية والإقليمية والقطرية لجميع قطاعات السوق الرئيسية التي يغطيها النطاق
  • ديناميكيات السوق مثل السائقين والقيود والفرص الرئيسية
  • الاتجاهات المستقبلية الرئيسية
  • القوى الخمس التفصيلية لـ PEST/Porter وتحليل SWOT
  • تحليل السوق العالمية والإقليمية الذي يغطي اتجاهات السوق الرئيسية واللاعبين الرئيسيين واللوائح وتطورات السوق الأخيرة
  • تحليل المشهد الصناعي والمنافسة الذي يغطي تركيز السوق وتحليل الخريطة الحرارية واللاعبين البارزين والتطورات الأخيرة
  • ملفات تعريف الشركة التفصيلية